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[主观题]
已知图P2.16（a)所示电路中场效应管的转移特性如图（b)所示.求解电路的Q点和Au.
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更多“已知图P2.16（a)所示电路中场效应管的转移特性如图（b)…”相关的问题
已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b)，(c) 所示。
(1)利用图解法求解Q点；(2)利用等效电路法求解Au，ri和ro。
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
电路如图3-21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。
图3-21
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA，UGS(off)=-4V，计算ID和UDS的值。
已知下图所示的电路中，结型场效应管的IDSS=3mA，UGS(off)=-3V。当RD分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时，场效应管工作在哪个区域(可变电阻区、恒流区、截止区)？
图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的
若电容CD对交流呈短路υ1=10mΥ,试求
值.
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,
已知管子参数
设λ=0,试设计该电路.
