试在深度负反馈条件下估算
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第2题
图LT5-7所示为电流并联负反馈电路,已知RF1=750Ω,RF2=1.2kΩ,RS=1kΩ,R02=4kΩ,R≇
图LT5-7所示为电流并联负反馈电路,已知RF1=750Ω,RF2=1.2kΩ,RS=1kΩ,R02=4kΩ,RL=1kΩ,Rf=10kΩ,设各电容对交流呈短路,RB1、RB2忽略不计,试在深度负反馈条件下,求
第3题
图NP1-31所示为SW7900三端式负电压输出的集成稳压器内部原理电路，已知输入电压V1=-19V，输
出电压VO=-12V.各管的导通电压|VBE(on)|均为0.7V，D的稳定电压Vz2=7V。
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(1)试说明比较放大器和输出级的工作原理。
(2)试求向比较放大器提供的基准电压VREF。
(3)试求取样比n及R19。
第4题
图NP1-31所示为SW7900三端式负电压输出的集成稳压器内部。原理电路，已知输入电压V1=-19V，
输出电压V0=-12V。各管的导通电压
均为0.7V，D的稳定电压VZ2=7V。
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均为0.7V，D的稳定电压VZ2=7V。(1)试说明比较放大器和输出级的工作原理。
(2)试求向比较放大器提供的基准电压VREF。
(3)试求取样比n及R19。
第5题
在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ。G1、G2为（1)试计算
在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ。G1、G2为
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压ΔVT。
(2)若电路的输入信号v1波形如图题9.2.1(b)所示，试画出相应的输出电压v0的波形。
第6题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出V
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
第7题
在图LP4-5所示电路中,已知晶体三极管特性相同,β=100,ΥBE(on)=0.7Υ,要求IEQ1=0.5m
在图LP4-5所示电路中,已知晶体三极管特性相同,β=100,ΥBE（on)=0.7Υ,要求IEQ1=0.5m
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A,IEQ2=1mA,ΥCEQ1=2.5Υ,ΥCEQ2=4Υ.设ΥCC=12Υ,ΥCQ2=6Υ,I1=10IBQ,试计算各电阻值,
第8题
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输
在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率fH.（忽略第二级输
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在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知
试估算该电路的土限频率fH.(忽略第二级输入电容对第一级的影响.)
第9题
在图LT6-20(a)所示单限比较器电路中,已知稳压管的Vz=6.3V,.(1) 试分析比较特性υ0-υ1
在图LT6-20（a)所示单限比较器电路中,已知稳压管的Vz=6.3V,.（1) 试分析比较特性υ0-υ1
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在图LT6-20(a)所示单限比较器电路中,已知稳压管的Vz=6.3V,
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(1) 试分析比较特性υ0-υ1;(2)当υ1(t)=5sinwt(V)时,画出υ0(t)的波形.
第10题
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE(on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE（on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
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度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
