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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是（)的，为（)。

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子

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第1题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？（)

A.少子反型

B.多子积累

C.多子耗尽

D.本征状态

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第2题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

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第3题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是？（)

A.平坦能带状态

B.少子反型状态

C.深耗尽状态

D.本征状态

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第4题

发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片，在P型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。对文段理解不正确的是（）。

A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术

B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成

C.PN结位于p型半导体和n型半导体的过渡层上

D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的

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第5题

总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（)

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第6题

不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是？（)

A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响

B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用，而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响

C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响，而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用

D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用

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第7题

某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】

某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是（)型半导体。【填写“N”或“P”】

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第8题

关于两种半导体带电的说法，正确的是（)。

A.P型半导体主要靠空穴导电，所以定是带正电

B.N型半导体主要靠电子导电，所以定是带负电

C.P型半导体和N型半导体对外都不导电

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第9题

发光二极管的核心部分是由下列哪种半导体组成的晶片？（)

A.P型半导体

B.N型半导体

C.P型半导体和N型半导体

D.PN结

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第10题

P型半导体的导电载流子主要是()。

P型半导体的导电载流子主要是（)。

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第11题

元素半导体可分为本征半导体和掺杂半导体，后者又分为n£型半导体和p£型半导体。（)

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