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[主观题]
在图LP3-2所示电路中,假设两管p0、Cok相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA若忽略沟道长
在图LP3-2所示电路中,假设两管p0、Cok相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA若忽略沟道长
度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.
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度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.
在图NPS3-1(a)所示振荡电路中,已知,变压器耦合系数k=0.9999;电流源电流IEF=4mA。(1)试分析电路,观察并记录两晶体管集电极输出电压波形,并由T2管集电极输出波形,计算振荡频率。(2)若将IEF改为2mA,再做(1)的分析和记录,并比较结果。(3)试确定最小工作电流IEE值。
,Vm>Vm0,两检波器均工作在大信号检波状态。试指出哪个电路能实现同步检波。
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
n(2π×103t)(V)。(1)试求输出电压振幅。(2)画出T1、T4管集电极电压波形和T1、T2管发射极电流波形。(3) 若T2管损坏(断开),试求输出电压值,并分析原因。
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc,假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态,且RD《RL。
n(2πX10³t)(V)。(1)试求输出电压振幅。(2)画出T3,T4管集电极电压波形和T1,T2管发射极电流波形。(3)若T2管损坏(断开),试求输出电压值,并分析原因。