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第3题
以下（)会造成上芯过程中混批。
A.产品收尾时未将产品清理干净
B.抽检后产品归位放错或是卡物分离造成混批
C.晶圆上机前未核对批号，造成晶圆混料
D.产品在传递，烘烤过程前后将流程卡放错造成混批
第4题
每片晶圆调取MAP后，需要核对（)
A.WAFERMAPPING批号与实际晶圆批号一致
B.中测单中BIN的数目应与设备上所显示的BIN数目一致
C.中测单中芯片数与MAP中BIN的数目
D.MAP旋转角度与晶圆统计表中角度是否一致
E.文件名及编号与实际加工片号一致
第5题
关于上芯顶针痕迹监控项目，描述错误的有：（)。
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
