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[单选题]
对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？（)
A.少子反型
B.多子积累
C.多子耗尽
D.本征状态
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A.某些晶体在外加电场的作用下，其折射率随外加电场的变化而变化的现象。
B.某些晶体在外加电场的作用下，吸收系数随外加电场的变化而变化的现象。
C.某些晶体在外加电场的作用下，反射率随外加电场的变化而变化的现象。
D.以上说法都不对。
