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[主观题]

某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i(t)如图6-21所示,即其中l₀称为触发时间,如果T=0.02(s

某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i（t)如图6-21所示,即其中l₀称为触发时间,如果T=0.02（s

某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i(t)如图6-21所示,即

某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i（t)如图6-21所示,即其中l0称为触发时间,如果T=0.0

其中l₀称为触发时间,如果T=0.02(s)(即ω= 某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i（t)如图6-21所示,即其中l0称为触发时间,如果T=0.0 =100π)

(1)当触发时间t₀=0.0025(s)时,求0≤t≤ 某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i（t)如图6-21所示,即其中l0称为触发时间,如果T=0.0 内电流的平均值;

(2)当触发时间为t₀时,求[0, 某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i（t)如图6-21所示,即其中l0称为触发时间,如果T=0.0 ]内电流的平均值;

(3)要使i_平均= 某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i（t)如图6-21所示,即其中l0称为触发时间,如果T=0.0 (A)和(A),问相应的触发时间应为多少？

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更多“某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i(t)如图6-21所示…”相关的问题

第1题

某可控硅控制电路中的负载电流为其中ω为圆频率，周期。现设初始导通时间。求I（t)在[0,T]上的Fouri

某可控硅控制电路中的负载电流为

其中ω为圆频率，周期。现设初

始导通时间。求I(t)在[0,T]上的Fourier级数。

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第2题

可控硅导通后，流过可控硅的电流决定于（)。

A.外电路的负载

B.可控硅的通态平均电流

C.可控硅A—K之间的电压

D.触发电压

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第3题

欧姆定律中，流过电阻R的电流I和加在电阻两端的电压U，三者之间的关系为I=U/R。（)

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第4题

降压斩波电路，已知E=300V，负载电阻R=5Ω，L值极大。采用脉宽调制控制方式，当D=0.7时，计算输出电压平均值U、输出电流平均值I。

降压斩波电路，已知E=300V，负载电阻R=5Ω，L值极大。采用脉宽调制控制方式，当D=0.7时，计算输出电压平均值U、输出电流平均值I。

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第5题

5Ω，负载电阻R=4Ω，则电路中的电流I=()A，端电压U=()V。

5Ω，负载电阻R=4Ω，则电路中的电流I=（)A，端电压U=（)V。

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第6题

_______常用于在施工现场测量临时需要检查电气设备的负载情况或线路流过的电流时。

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第7题

将一个电阻为R的负载接到电压为U的电源上。负载中的电流I和负载消耗的功率P分别为：（U、I、R、P的单位分别为伏特、安培、欧姆、瓦特，”x^m”表示“x的m次方”)（)

A.I = U/R，P = U^2/R

B. I = U×R，P =U/R

C. I = R/U，P =U×R

D. I = U×R，P =U^2×R

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第8题

由部分电路欧姆定律R=U/I和R=ΡL/S可知（)。

A.导体的电阻与两端加的电压成正比

B.导体的电阻与流过其中的电流成反比

C.导体的电阻与电压、电流无关

D.导体的电阻与流过其中的电流成正比

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第9题

流过电流的路径称电路。电路一般由()几部分组成。

流过电流的路径称电路。电路一般由（)几部分组成。

A . 控制设备

B . 导线

C . 电压

D . 负载

E . 电源

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第10题

如图5.14(a)所示，一根半径为R的无限长载流直导体，在导体上有一半径为R'的圆柱形空腔，其轴

如图5.14（a)所示，一根半径为R的无限长载流直导体，在导体上有一半径为R'的圆柱形空腔，其轴

与直导体的轴平行，两轴相距为d。导体中有电流I沿轴向流过，并均匀分布在横截面上。试用安培环路定理求空腔中心的磁感应强度，你能证明空腔中的磁场是匀强磁场吗？

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