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第1题
（)构成的H桥电路，上下桥臂不会发生同时导通现象。
A.采用PNP和NPN型晶体管集电极跟随器
B.采用NPN和PNP型晶体管射极跟随器
C.全部采用NPN型晶体管
D.全部采用PNP型晶体管
第5题
已知某晶体管的E、B、C三个极的电位分别为£8V、£8.3V、£12V，则此管工作于（)状态，此管属（)型。
A.截止/NPN
B.截止/PNP
C.放大/NPN
D.放大/PNP
第7题
有两个晶体管分别接在电路中，当工作在放大状态时测得三个管脚的电位(对"地")分别如
有两个晶体管分别接在电路中，当工作在放大状态时测得三个管脚的电位（对"地")分别如
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下表所列，试判别晶体管的三个电极及类型(硅管，锗管，NPN型管，PNP型管)。
第8题
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（)。
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
