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本征半导体的特征是?()
A.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
D.电子浓度和空穴浓度均为0
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A.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
D.电子浓度和空穴浓度均为0
A.本征跃迁是本征吸收的逆过程
B.对于直接禁带半导体,其本征跃迁为直接跃迁
C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D.对于间接禁带半导体,其本征跃迁是间接跃迁
E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外,还有声子参与
F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁
A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度
E.电子浓度和空穴浓度均为0
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于:电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行
B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于:仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收,电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子
C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ,所以自由载流子吸收是红外吸收
D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带,称为自由载流子吸收
A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
C.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
D.导带中的电子服从费米分布函数
E.价带中的空穴服从费米分布函数
F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征