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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

本征半导体的特征是?()

A.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度

B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度

C.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度

D.电子浓度和空穴浓度均为0

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第1题
关于本征跃迁,以下说法正确的是?()

A.本征跃迁是本征吸收的逆过程

B.对于直接禁带半导体,其本征跃迁为直接跃迁

C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与

D.对于间接禁带半导体,其本征跃迁是间接跃迁

E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外,还有声子参与

F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多

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第2题
关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁

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第3题
P型半导体的特征是?()

A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度

B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度

C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度

D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度

E.电子浓度和空穴浓度均为0

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第4题
下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

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第5题
关于自由载流子吸收,以下说法正确的是?()

A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于:电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行

B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于:仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收,电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子

C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ,所以自由载流子吸收是红外吸收

D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带,称为自由载流子吸收

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第6题
材料的禁带宽度,最大的是()

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

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第7题
半导体材料,靠导带中的电子或空穴导电,导带中靠电子导电的半导体称为()半导体,导带中靠空穴导电的半导体称为()半导体。

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第8题
以下物理参量中,不随半导体掺杂浓度变化的是?()

A.半导体的导带底

B.半导体的电子亲和能

C.半导体的费米能级

D.半导体的功函数

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第9题
关于“非简并半导体”,以下说法正确的是:()。

A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

C.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

D.导带中的电子服从费米分布函数

E.价带中的空穴服从费米分布函数

F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带

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第10题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时,有确定的载流子浓度,即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征

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第11题
N型半导体是在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体。()
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