A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍
B.沟道电阻不变
C.饱和区跨导缩小K倍
D.栅极总电容缩小K倍
A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术
B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成
C.PN结位于p型半导体和n型半导体的过渡层上
D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的
A.对于低势垒尖峰形异质结,用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结,采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理