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[判断题]

共模抑制比KCMR越大,抑制放大电路的零点漂移的能力越强。()

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第1题
共模抑制比KCMR越大,表明电路()

A.放大倍数越稳定

B.交流放大倍数越大

C.抑制温漂能力越强

D.输入信号中差模成分越大

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第2题
差分放大电路的共模抑制比KCMR越大表明电路()。

A.放大倍数越稳定

B.抑制温漂能力越强,性能好

C.交流放大倍数越大

D.直流放大倍数越大

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第3题
共模抑制比Kcmr是()之比。

A.差模输入信号与共模输入信号

B.输出量中差模成分与共模成分

C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)

D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)

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第4题
差动直流放大器比直接耦合放大器,以多用一个晶体三极管为代价,换取()。

A.高的电压放大倍数

B.抑制零漂移的能力

C.电路形成对称

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第5题
差动式(两管)放大电路的放大倍数和基本放大电路(单管)的放大倍数()。可以认为,差动式电路的特点是多用一个放大管来换取对零漂的抑制。

A.相同

B.差动式放大电路是基本放大电路的二倍

C.差动式放大电路是基本放大电路的1/2倍

D.差动式放大电路是基本放大电路的4倍

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第6题
具有理想电流源的差分放大电路,采用不同的连接方式,其共模抑制比()

A.均为无穷大

B.均为无穷小

C.不相同

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第7题
差分放大电路中的共模抑制比是指()。

A.差模输入信号绝对值与共模输入信号绝对值之比

B.输出量中差模成分与共模成分之比

C.差模放大倍数绝对值与共模放大倍数绝对值之比

D.交流放大倍数绝对值与直流放大倍数绝对值之比

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第8题
差动放大电路如题图9-1所示,晶体管的参数β12=50,r'bb1=r'bb2=300Ω,
其他电路参数如图中所示。试求:

(1)静态工作点;

(2)差模电压放大倍数和共模电压放大倍数;

(3)共模抑制比;

(4)差模输入电阻和输出电阻。

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第9题
在图题7.2.6所示的射极耦合差分式放大电路中,VCC=+10V,VEE= -10V,I0=1 mA,r0
在图题7.2.6所示的射极耦合差分式放大电路中,VCC=+10V,VEE= -10V,I0=1 mA,r0=25千欧(电路中未画出),Re1=Re2=10千欧,BJT的β=200,VBE=0.7V;(1)当vi1=vi2=0时,求IC、VE,VCE1和VCE2;(2)当vi1=-vi2=+vid/2时,求双端输出时的Aed,和单端输出的Aed1,Aec1和KCMR的值。

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第10题
集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡,则表示集成运放的()。

A.闭环放大倍数越大

B.开环放大倍数越大

C.抑制漂移的能力越强

D.对放大倍数没有影响

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第11题
抑制零点漂移最为有将近的直流放大电路结构型式是()。

A.差动放大电路;

B.多级直流放大电路;

C.正反馈电路

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