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[判断题]

IGBT在较大电流时，通态电压比MOSFET高。（)

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第1题

IGBT的静态和动态特性都与()密切相关。栅极的正偏压+UGE、()和栅极电阻Ron的大小，对IGBT的通态电

IGBT的静态和动态特性都与（)密切相关。栅极的正偏压+UGE、（)和栅极电阻Ron的大小，对IGBT的通态电

压、()、开关损耗、()以及duCE/dt等参数都有不同程度的影响。

此题为判断题(对，错)。

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第2题

对运行中的2.0级电能表进行起动试验时，被试表在功率因数1时加参比电压的条件下，通（)标定电流。

A.0.01

B.0.05

C.0.03

D.0.005

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第3题

IGBT导通时撤去栅极电压，IGBT由导通变截至。（)

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第4题

可控硅导通后，流过可控硅的电流决定于（)。

A.外电路的负载

B.可控硅的通态平均电流

C.可控硅A—K之间的电压

D.触发电压

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第5题

IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项是它的特性。（)

A.功率小

B.开关频率低

C.通态压降高

D.损耗功率大

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第6题

在冷态负载电场升压调试时，当电流上升至额定值的（)时，由于电流极限的作用，电流、电压停止上升。

A.30%

B.50%

C.60%

D.80%

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第7题

以下各项中不是CMOS倒相器的特点的是（)。

A.无论导通态还是截止态，静态功耗都很小

B.两个管子的跨导均可以做得较大，使导通时等效电阻小

C.在导通和截止态转变过程中，瞬态电流会增大，一定会产生很大的总功耗

D.开关时间短，可以迅速完成状态转换

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第8题

下列直流测速发电机要求的性能中，不正确的是（)。

A.输出电压与转速成正比，基本上不受温度以及外界的影响

B.在一定的转速下，输出的电压比较大

C.不灵敏区一般要较小

D.测速发电机的电流也必须与转速成正比，基本上不受温度以及外界的影响

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第9题

IGBT加反压截至，加正压也截至，加正压时在栅极加正电流，IGBT导通。（)

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第10题

普通笼型异步电动机在额定电压下起动时，为什么起动电流很大而起动转矩不大？但深槽式或双笼电动机在额定电压下起动时，起动电流较小而起动转矩较大，为什么？

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第11题

为保证可控硅正常工作,导通时需在控制极上加以所需的最小（)电压、电流,称为触发电压、电流。

A.交流

B.直流

C.脉动

D.正弦

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