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[判断题]

晶闸管内部的基本结构是由二个以上的PN结组成的。（)

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第1题

（)是三个PN结、四层结构的半导体器件

A.半导体二极管

B.半导体三极管

C.晶闸管

D.齐纳管

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第2题

普通晶闸管有两个pn结。（)

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第3题

晶闸管的控制级与阳极之间是一个PN结，其判别方法同晶体二极管判别方法一样。（)

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第4题

晶闸管的控制极和阳极之间是一个pn结，其判别方法同晶体二极管极性判别方法一样。（)

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第5题

晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)

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第6题

晶闸管具有（)PN结。

A.4个

B.3个

C.2个

D.5个

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第7题

关于光生伏特效应，以下说法正确的是?()

A、用适当波长的光照射没有外加偏压的非均匀半导体(如pn结)或其它半导体结构时，由于光激发和半导体内建电场的作用，使半导体内部产生电动势

B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池

C、是光能转换成电能

D、能够产生有效的光生伏特效应，需要：光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离

E、是电能转换成光能

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第8题

PN结温度计是采用一个二极管PN结构做为感温元件。（)

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第9题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第10题

将PN结加适当的正向电压时，空间电荷区将（)。

A.变窄

B.变宽

C.基本不变

D.不确定

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第11题

二极管是由一个PN结构成的，它的主要特性就是（)。

A.反向特性

B.导通特性

C.截止特性

D.单向导电性

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