![](https://static.youtibao.com/asksite/comm/h5/images/m_q_title.png)
有关钢中杂质硅对热镀锌影响的说法中,正确的是()
B、硅对镀层厚度有明显的影响,硅含量低的钢在镀锌后可以获得致密的Fe-Zn合金层,而含硅量达到0.3%时,δ1层被破坏,使ζ结晶变成粗大而自由生长的晶体,这种反应产物是疏松的
C、含硅量还会影响镀层外观。有的研究发现,当硅含量为0.06%~0.07%时,镀层灰暗色斑点最多,由于δ1相迅速长大,ζ相晶粒被迫向表面推移,致使表面锌层很薄甚至不存在
D、A+B+C
![](https://static.youtibao.com/asksite/comm/h5/images/solist_ts.png)
B、硅对镀层厚度有明显的影响,硅含量低的钢在镀锌后可以获得致密的Fe-Zn合金层,而含硅量达到0.3%时,δ1层被破坏,使ζ结晶变成粗大而自由生长的晶体,这种反应产物是疏松的
C、含硅量还会影响镀层外观。有的研究发现,当硅含量为0.06%~0.07%时,镀层灰暗色斑点最多,由于δ1相迅速长大,ζ相晶粒被迫向表面推移,致使表面锌层很薄甚至不存在
D、A+B+C
A.钢中有益元素有锰、硅、钒、钛等,控制掺入量可冶炼成低合金钢
B.钢中的主要有害元素为硫、磷和氧,要特别注意控制其含量
C.磷主要熔于铁素体起强化作用
D.氧主要熔于铁素体内
E.磷可提高钢的耐性和耐蚀性,并使其可焊性提高
B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用
A.随着温度的升高,短路电流密度升高,开路电压下降,但光电转换效率下降。
B.温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。
C.光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。
D.与晶硅太阳能电池相比,GaAs太阳能电池的禁带宽度较大,所以晶硅太阳能电池具有更好的温度特性。