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[主观题]

源极跟随器电路如图题4.5.3所示。VDD=VSS=5V。电流源I=5mA,Rg=200千欧,RL=1千欧

,场效应管参数为VTP=-2V,Kp=5mA/V2,λ=0。试求:(1)电路的输出电.阻和输入电阻;(2)小信号电压增益。

源极跟随器电路如图题4.5.3所示。VDD=VSS=5V。电流源I=5mA,Rg=200千欧,RL=

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第1题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

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第2题
电路如图题7.1.5所示,用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行偏置。同时作为T3的有源
电路如图题7.1.5所示,用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行偏置。同时作为T3的有源

负载r0设β>1,求电流I0的值;在保证I0相同时,求T3的Re3的值,若r0=100千欧。试比较该电路与用Re3代替电路中r0的分立元件电路时两种电路的差别。设VCC=-VEE=10V,VBE=0.6V。

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第3题
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示,该电路的交,直流负载线绘于图题4.3.5中。试求:(1)电
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示,该电路的交,直流负载线绘于图题4.3.5中。试求:(1)电

源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。

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第4题
低压稳压电路如图题3.4.15所示。(1)利用碓二极管恒压降模型求电路的ID和v0(VD=0.7
低压稳压电路如图题3.4.15所示。(1)利用碓二极管恒压降模型求电路的ID和v0(VD=0.7

V);(2)在室温(300K)情况下,利用二极管的小信号模型求v0的变化范围。

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第5题
场效应管共源极电路如图题4.11.3所示,其中VDD=20V,Rg1=300千欧,Rg2=15千欧,,Rg3
=2M,Rd=10千欧,R=2千欧,Cb1=1μF,Cb2=1μF,RL=100千欧,。试运用SPICE进行如下分析计算:(1)求电路的静态工作点;(2)输入vi频率为1kHz,幅值为10mV的正弦信号,观察vi及v0的波形;(3)求小信号电压增益,电流增益,输入电阻及输出电阻。

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第6题
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0<t<5 ms的时间间隔内,试
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0<t<5 ms的时间间隔内,试

绘出vo(t)的波形。使用恒压降模型(VD=0.7 V),设二极管是理想的。

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第7题
共基电路的交流通路如图题6.5.2所示,其中。BJT的,fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压

共基电路的交流通路如图题6.5.2所示,其中。BJT的,fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率fH

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第8题
电路如图题7.1.6所示,设T1、T2的特性完全相同,且ree>Re2,re≈VT<R,求电
流源的输出电阻。

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第9题
多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的|
多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF假设BJT的|VBE|=0.6V,β=∞,各管结面积相同。

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第10题
一种简单的D锁存器晶体管级电路如图题5.3.2所示,试列出该电路的功能表。这种电路广泛用于CMOS静
态随机存储器(SRAM)中作为基本存储单元。

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