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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

晶体管能够放大的外部条件是（)。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

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第1题

晶体管能够实现放大作用的外部条件是发射结反偏，集电结正偏。（)

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第2题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第3题

（)年，贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿三人合作发明了具有放大作用的锗晶体管，导致了世界上第一只晶体管的诞生。

A.1947

B.1956

C.1958

D.1965

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第4题

双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（)。

A.基区宽度足够小

B.发射结正偏

C.集电结反偏

D.发射结及集电结的结电阻足够小

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第5题

三极管实现放大作用的外部条件是：___。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va=-1V，Vb=-3.2V,Vc=

-3.9V,这___管（硅、锗），___型，集电极管脚是___。

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第6题

三极管具有电流放大作用的外部条件必须使()结正向偏置，()结反向偏置。

三极管具有电流放大作用的外部条件必须使（)结正向偏置，（)结反向偏置。

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第7题

晶体管是电子线路中常用的放大元件。（)

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第8题

晶体管具有放大能力的极限频率为特征频率，超过这一频率值晶体管不能实现电压放大。（)

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第9题

晶体管触发电路，应选用放大能力强的三极管。（)

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第10题

晶体管等效电路中，gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导，表示晶体管放大能力。（)

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