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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

采用耗尽近似,P型耗尽区内的()完全扩散掉。

A.电子

B.空穴

C.载流子

D.带负电的电离受主杂质

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第1题
结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第2题
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第3题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第4题
p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第5题
在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。

A.积累,无

B.耗尽,无

C.反型,有

D.积累,有

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第6题
栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第7题
结型场效应管是耗尽型场效应管,有______和______2种沟道。

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第8题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?()

A.平坦能带状态

B.少子反型状态

C.深耗尽状态

D.本征状态

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第9题
SF3102型108t电动轮制动锁定时,如果柴油机不运转,则在()分钟后,气压耗尽,制动便失效。
SF3102型108t电动轮制动锁定时,如果柴油机不运转,则在()分钟后,气压耗尽,制动便失效。

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第10题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?()

A.少子反型

B.多子积累

C.多子耗尽

D.本征状态

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第11题
已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压UCS(off)=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.50mA,试求UCS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。
已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压UCS(off)=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.50mA,试求UCS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。

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