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VB=0V;(2)VA=+6V，VB=+5.8V;(3)VA=VB=+5V。二极管的正向压降忽略不计。
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A
=VB=0V;(2)VA=3V，VB=0;(3)VA=VB=3V。二极管的正向压降忽略不计。
的正向压降忽略不计。
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
在题图E5-8所示电路中，已知RL=80Ω，直流电压表V的读数为110V，试求：
(1)直流电流表A的读数;
(2)整流电流的最大值;
(3)交流电压表V1的读数;
(4)变压器二次电流的有效值。二极管的正向压降忽略不计。
由一阶全通滤波器组成的移相式正弦波发生器电路如图题9.6.7所示。(1)试证明电路的振荡频率f0=1/(2πC√R4R5);(2)根据全通滤波器的工作特点,可分别求出V01相对于V03的相移和V0相对于V01的相移，同时在f=f0时V03与V0之间的相位差为-π,试证明在R4=R5时,V01,V0间的相位差为90°,即V01若为正弦波，则V0就为余弦波。
静态偏置电压VQ=0V，在满足线性时变条件下，试分别求出具有图NP4-20所示两种伏安特性的混频管的混频跨导gmc。
题图2-12所示电路中，Us=5V、R1=R2=R4=R5=1Ω、R3=2Ω、μ=2，试求电压U1。
统的状态方程和输出方程.在图12-7(c)中传输算子为
考虑图中结点λ之后增益为1的通路在本题中能否省去？
