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[主观题]

锗晶体二极管的死区电压约为0.2V，导通压降约为0.5V。（）

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更多“锗晶体二极管的死区电压约为0.2V，导通压降约为0.5V。（…”相关的问题

第1题

硅二极管的死区电压约为（)。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第2题

在常温下，硅二极管的开启电压和导通后在较大电流下的正向压降分别是（)。

A.0.1V;0.2V

B.0.5V;0.7V

C.0.2V;0.8V

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第3题

二极管正向电压大于死区电压后，正向（)开始明显增加，并且随着正向电压加大，二极管呈现充分导通状态。

A.电阻

B.电势

C.电荷

D.电流

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第4题

在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第5题

当二极管所加电压很低时，正向（)非常小，属于弱导通状态，通常称这个区域为死区。

A.电流

B.电压

C.电势

D.也阻

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第6题

在常温下，硅二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V；锗二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V。

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第7题

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少

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第8题

在图P9.11所示电路中,已知V_cc=15V,T₁和T₂管的饱和压降|U_CES|=1V,集成运放的

最大输出电压幅值为±13V,二极管的导通电压为0.7V.

(1)若输入电压幅值足够大,则电路的最大输出功率为多少？

(2)为了提高输入电阻,稳定输出电压,且减小非线性失真,应引

(3)若U_i=0.1V时,U₀=5V,则反馈网络中电阻的取值约为多少？

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第9题

锗晶体二极管至少要高于约（)的电压才能正常工作。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.7V

D.0.5V

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第10题

硅二极管正向导通时，其导通压降约为0.7V左右。（)

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第11题

数字万用表测量二极管显示“0.6”的含义是（)。

A.导通电压

B.导通电阻

C.导通电流

D.导通时间

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