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[主观题]
试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态，且RD⌘
试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态，且RD《RL。
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更多“试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作…”相关的问题
0dB，R1=10kΩ，求Rf和R2值;(2)若将它分别作为双边带调制器、双边带调制信号解调器混频电路，试写出v1,v2,v0表示式。
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
静态偏置电压VQ=0V，在满足线性时变条件下，试分别求出具有图NP4-20所示两种伏安特性的混频管的混频跨导gmc。
图LT4-7所示电路中,已知晶体三极管β=150,VA=-100V,VBE(OD)=0.7V,试求
设各电容对交流呈短路.
图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,
(1)试求集电极电流IC1、IC2,集电极电压VC1、VC2;
(2)若RB2改为3kΩ,试指出T1和T2管的工作模式;
(3)若RC2改为5.1kΩ,试求β2(sat)值,并与放大模式下β=100比较.
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
,试求通过二极管的电流
表达式.设各集成运放是理想.
