题目内容
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[单选题]
下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（)。
A.能够将交流电转变成直流电
B.只允许电流从一个方向流过
C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
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C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
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A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等
D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似
B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池
C、是光能转换成电能
D、能够产生有效的光生伏特效应，需要：光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离
E、是电能转换成光能
A.人类mtDNA分子含16569bp
B.mtDNA分子中轻链编码的基因数目较重链多
C.mtDNA翻译所需的tRNA兼用性很强
D.mtDNA中UGA编码色氨酸，而非终止信号
E.mtDNA突变的阈值效应不是恒定不变的
A.职工当年存缴的住房公积金按结息日挂牌公告的活期存款利率计算
B.上年结转的按结息日挂牌公告的6个月整存整取存款利率计算
C.职工个人住房公积金存款利率，遇法定存款利率调整，分段计息
D.每年6月30日为职工住房公积金存款的结息日
A.保护环境
B.限制一切有关辐射照射的实践活动
C.避免确定性效应的发生，并将随机性效应的发生概率降低到合理可达尽可能低的水平
D.保护人类
A.InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb，在结晶过程中会析出NiSb针状晶体
B.长方形磁阻元件在外加磁场作用下，物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在
C.长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系
D.常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件
A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍
B.沟道电阻不变
C.饱和区跨导缩小K倍
D.栅极总电容缩小K倍
