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[主观题]

场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制,是一种()控制器件。

场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制,是一种()控制器件。

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第1题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第2题
功率场效应晶体管的输出特性表示在栅源电压VCS为一定值时,()之间的关系。

A.漏极电流与漏极电压

B.源极电流与漏极电压

C.漏极电流与漏源极电压

D.源极电流与漏源极电压

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第3题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第4题
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示,该电路的交,直流负载线绘于图题4.3.5中。试求:(1)电
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示,该电路的交,直流负载线绘于图题4.3.5中。试求:(1)电

源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。

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第5题
工作在饱和区的场效应管,()电压控制漏极电流的大小。

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第6题
测得某增强型场效应管栅源电压为2V,已知Vth=1V,则该管不可能工作在()区。

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第7题
源极跟随器电路如图题4.5.3所示。VDD=VSS=5V。电流源I=5mA,Rg=200千欧,RL=1千欧
,场效应管参数为VTP=-2V,Kp=5mA/V2,λ=0。试求:(1)电路的输出电.阻和输入电阻;(2)小信号电压增益。

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第8题
栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第9题
场效应管的源极和漏极均可以对调使用。()
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第10题
结构型场效应管的漏极和源极可以互换使用。()
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第11题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

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