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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

SLE4520是（)可编程芯片。

A.8位

B.32位

C.4位

D.16位

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第1题

SLE4520是一种应用ACMOS技术制作的低功耗高频大规模三相PWM集成电路。它是一种可编程器件，与（)微处理器或微机配合使用。

A.8位或32位

B.8位或16位

C.8位或64位

D.16位或32位

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第2题

I£¯O接口芯片8255A有（)个可编程（选择其工作方式的)通道。

A.1.0

B.2.0

C.3.0

D.4.0

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第3题

可编程并行接口芯片8255A有三种工作方式，它内部有3个8位数据口，即A口、B口、C口，可以工作在三种方式下的端口是()。

可编程并行接口芯片8255A有三种工作方式，它内部有3个8位数据口，即A口、B口、C口，可以工作在三种方式下的端口是（)。

A.A，B,C口均可

B.A口

C.B口

D.C口

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第4题

可编程并行接口芯片8255A工作（）：没有固定的用于应答式传送的联络信号线，CPU可以采用无条件传送方式与交换数据。

A.方式0

B.方式1

C.方式2

D.方式3

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第5题

18、SLE4520能产生驱动三相逆变器的SPWM三相六路信号，波形局限于正弦调制。（)

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第6题

芯片四周角上缺损面积（)的芯片面积为不良。

A.≥5%

B.≥15%

C.≥10%

D.≥8%

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第7题

使用256KX4位E²PROM芯片构成256KX16位存储器,共需E²PROM芯片（)片.

A.16

B.256

C.4

D.8

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第8题

74LS138是什么功能的芯片（)。

A.3线─8线译码器

B.数据选择器

C.显示译码器

D.与非门

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第9题

试用NMOS静态RAM2112（256×4)芯片完成下列工作:（1)用多少片2112芯片才能组成1K×8的内存单元？（2)寻址1K×8内存单元需用多少根地址线？（3)画出1K×8RAM的接线图.

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第10题

在5G网络规划中，2T4R的传输模式中5G芯片需要配置（)根天线

A.1

B.2

C.4

D.8

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第11题

首片划片完成后,做首检时正反面观察五个位置,每个位置查看（)颗芯片。

A.8

B.6

C.10

D.5

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