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[单选题]

N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。

A.W型半导体

B.U型半导体

C.P型半导体

D.N型半导体

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第1题
在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。

A.空穴/自由电子

B.自由电子/空穴

C.空穴/共价键电子

D.负离子/正离子

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第2题
N型半导体的多子就是自由电子,少子就是空穴。()
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第3题
P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。()
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第4题
N型半导体中的多数载流子是()。

A.自由电子

B.空穴

C.束缚电子

D.晶格上的离子

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第5题
关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是()。

A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子

B.无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质

C.对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质

D.对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质

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第6题
在本征半导体中加入微量的3价元素,就得到P型半导体,内部载流子数量大大增加,且多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()
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第7题
P型半导体中,自由电子的数目少于空穴的数目,其导电能力主要由空穴决定,所以称为()型半导体。

A.空穴

B.电子

C.光敏

D.热敏

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第8题
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。()
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第9题
本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是()。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无关

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第10题
温度升高后,在纯净的半导体中()

A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同

B.空穴增多,自由电子数目不变

C.自由电子增多,空穴不变

D.自由电子和空穴数目都不变

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第11题
一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为1014cm-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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