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（请给出正确答案）
[多选题]
关于本征吸收，以下说法正确的是？（)
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
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A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
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A.本征跃迁是本征吸收的逆过程
B.对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁
C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D.对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁
E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与
F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于：电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行
B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于：仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收，电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子
C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ，所以自由载流子吸收是红外吸收
D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带，称为自由载流子吸收
A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
C.作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D.辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁
A.低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化
B.强电离区，载流子浓度不随温度变化
C.本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化
D.强电离区，载流子浓度随温度按指数规律变化
E.本征激发区，载流子浓度不随温度变化
F.低温区，载流子浓度不随温度变化
A.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱
B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的
C.把量子阱中的电子称为二维电子气(2DEG)
D.n+—AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.征收制度改革的难点在于征收协商前置
B.征收协商前置有利于保障农民利益
C.征前协商要求与集体经济组织中不少于2/3的成员达成协议
D.征前协商要求落实费用
