题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
以下引起大气电离的四种电离源中（)不是主要的电离源。
A.地壳中放射物质发出的放射线
B.大气中放射性物质发生的放射线
C.大气中的闪电、火山爆发、森林大火、尘暴、雪暴等
D.地球之外的宇宙射线
查看答案
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
A.地壳中放射物质发出的放射线
B.大气中放射性物质发生的放射线
C.大气中的闪电、火山爆发、森林大火、尘暴、雪暴等
D.地球之外的宇宙射线
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“以下引起大气电离的四种电离源中（)不是主要的电离源。”相关的问题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
A.间接作用是由电离辐射直接造成生物大分子的损伤效应
B.直接作用是由电离辐射直接造成生物大分子的损伤效应
C.直接作用是由水分子电离与激发引起生物大分子结构功能破坏系列损伤效应。
D.间接作用不会引起生物分子的破坏
A.间接做用中能量直接转移并沉积在生物大分子上，引起生物大分子的电离与激发
B.间接作用导致核酸、蛋白质等分子结构的改变，并继而引发生物分子结构和功能的改变
C.直接作用可以破坏膜系的分子结构，如线粒体膜、溶酶体膜，内质体膜，核膜和质膜，从而干扰细胞器的正常功能
D.间接作用将自身的能量转移至水分子，并引起水分子的电离与激发，产生原发辐解产物
