电路如图P5.7所示.已知:晶体管的β、rbb、Cμ均相等,所有电容的容量均相等,静态时所有电路
(1)低频特性最差即下限频率最高的电路是().
(2)低频特性最好即下限频率最低的电路是().
(3)高频特性最差即上限频率最低的电路是().
(1)低频特性最差即下限频率最高的电路是().
(2)低频特性最好即下限频率最低的电路是().
(3)高频特性最差即上限频率最低的电路是().
比例式电流源电路如图4-59所示,已知各晶体管特性一致,VBE(on)=0.7V,β=100,|VA|=120V,试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Ro3。
多路电流源电路如图P4.3所示,已知所有晶体管的特性均相同,UBE均为0.7V.试求Ic1、Ic2各为多少.
晶体管放大电路如图15.16(a)所示,已知UCC=12V,RC=3kΩ,RB=240kΩ,晶体管的β=40。(1)试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;(2)如晶体管的输出特性如图15.16(b)所示,试用图解法作放大电路的静态工作点;(3)在静态时(ui=0)C1和C2上的电压各为多少?并标出极性。
(a)估算晶体管VT2的静态电流ICQ2和静态时的输出电压Vo; (b)求电路的差模放大倍数Avd。
如图题5.17所示的差分电路中,已知u1(t)=360cos(2π×105t)(mV),u2(t)=10cos(2π×103t)(mV),VCC=VEE=10V,REE=10kΩ,晶体管的β很大,UBE(on)可忽略。试用开关函数求iC(t)=iC1(t)-iC2(t)的关系式。
(1)正常情况;(2)Rb1短路;(3)Rb1开路;(4)Rb2开路;(5)Rb2短路;(6)RC短路;
电路如图8-20所示,已知稳压管的稳定电压UZ=6V,晶体管的UBE=0.7V, R1=R3=3kΩ,R2=2kΩ,UI=24V,β=100,运放A的最大输出电流为1mA。
(1) 标出集成运放的同相输入端和反相输入端;
(2) 计算输出电压UO的范围;
(3) 计算负载RL上的最大电流IL,max;
(4) 计算管子VT的最大功耗PCM。
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.
(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的原理是什么?
(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.