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第5题
以下各项中不是CMOS倒相器的特点的是（)。
A.无论导通态还是截止态，静态功耗都很小
B.两个管子的跨导均可以做得较大，使导通时等效电阻小
C.在导通和截止态转变过程中，瞬态电流会增大，一定会产生很大的总功耗
D.开关时间短，可以迅速完成状态转换
第6题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是（)。
A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
第9题
某可控硅控制电路中的负载电流为其中ω为圆频率，周期。现设初始导通时间。求I（t)在[0,T]上的Fouri
某可控硅控制电路中的负载电流为
其中ω为圆频率，周期
。现设初
始导通时间
。求I(t)在[0,T]上的Fourier级数。
第10题
设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
