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[判断题]

单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。（)

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第1题

在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度（)。

A.越高

B.越低

C.不变

D.无法判断

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第2题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第3题

由于通过降低沟道区掺杂浓度会改变阈值电压，因此需要同时采用功函数低的栅材料。（)

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第4题

下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:（）。

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压

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第5题

在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（)。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第6题

以下物理参量中，不随半导体掺杂浓度变化的是？（)

A.半导体的导带底

B.半导体的电子亲和能

C.半导体的费米能级

D.半导体的功函数

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第7题

对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：（)。

A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动

B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动

C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动

D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动

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第8题

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第9题

减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为（）。

A.增加氧化层厚度

B.提高沟道区掺杂浓度

C.降低沟道长度

D.增加衬-源反偏电压

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第10题

下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流（）。

A.减少栅极氧化层厚度

B.减少硅表面缺陷密度

C.减少漏极电压

D.减少漏极掺杂浓度

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第11题

下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅（）。

A.减少衬底掺杂浓度

B.减少SiO₂/Si界面处的固定电荷密度

C.减少氧化层厚度

D.降低器件工作温度

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