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[判断题]

元素半导体可分为本征半导体和掺杂半导体,后者又分为n£­型半导体和p£­型半导体。()

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第1题
在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体,加入()元素可形成P型半导体.

A.五价

B.四价

C.三价

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第2题
一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为1014cm-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第3题
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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第4题
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。()
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第5题
以下哪种情况下,半导体为N型的?()

A.本征半导体中掺入施主杂质

B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度

C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度

D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度

E.本征半导体中掺入受主杂质

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第6题
关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁

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第7题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第8题
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?()

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体

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第9题
本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是()。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无关

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第10题
关于本征跃迁,以下说法正确的是?()

A.本征跃迁是本征吸收的逆过程

B.对于直接禁带半导体,其本征跃迁为直接跃迁

C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与

D.对于间接禁带半导体,其本征跃迁是间接跃迁

E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外,还有声子参与

F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多

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第11题
以下物理参量中,不随半导体掺杂浓度变化的是?()

A.半导体的导带底

B.半导体的电子亲和能

C.半导体的费米能级

D.半导体的功函数

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