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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

以下情况属于杂质电离的是?()

A.施主态上的电子跃迁到导带

B.受主态上的空穴跃迁到价带

C.价带的电子跃迁到导带

D.导带的电子跃迁到价带

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第1题
以下关于杂质的描述正确的是()。
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用

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第2题
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是()的,为()。

A.正,电离施主杂质

B.正,电离施主杂质和空穴

C.负,电离受主杂质

D.负,电离受主杂质和电子

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第3题
若硅中施主杂质电离能△ED= 0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3,计算(1)99%电离,(2)90%电离,(3)50%电离时温度各为多少?

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第4题
施主浓度分别为1013和1017cm-3的两个Si样品,设杂质全部电离,分别计算:①室温时的电导率;②200C时的电导率。

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第5题
在完全相同的条件下,以下哪种情况最容易发生?()

A.浅能级杂质的电离

B.深能级杂质的电离

C.本征激发

D.本征吸收

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第6题
以下哪种情况下,半导体为N型的?()

A.本征半导体中掺入施主杂质

B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度

C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度

D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度

E.本征半导体中掺入受主杂质

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第7题
化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是()。

A.锡

B.硼

C.磷

D.锰

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第8题
以n型半导体MIS结构为例,当在栅极上加上负电压时,随着电压的加大,吸引到半导体表面的()浓度迅速增加,形成反型层。

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主

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第9题
在一块半导体中同时掺入N型杂质和P型杂质,会发生杂质补偿作用,施主能级和受主能级上的电荷先相互抵消,剩下的电荷才能成为导电粒子。()
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