A.本征跃迁是本征吸收的逆过程
B.对于直接禁带半导体,其本征跃迁为直接跃迁
C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D.对于间接禁带半导体,其本征跃迁是间接跃迁
E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外,还有声子参与
F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
A.P型半导体和N型半导体材料本身带电
B.N型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电
C.N型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带负电
D.P型半导体中,多数载流子为空穴,它不带电
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大
B.对于壳层采用半导体晶体修饰时,两种半导体材料的晶格常数要相匹配,以减少界面张力
C.一定要缓慢滴加前驱体溶液
D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布