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第3题
下面哪种器件属于常用的三端器件？它具有栅极G、集电极C和发射极E，它综合了GTR和Power－MOSFET的优点。（)
A.绝缘栅双极晶体管
B.门极可关断晶闸管
C.静电感应晶体管
D.集成门极换流晶闸管
第4题
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（)。
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
第11题
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（)。
A.均为电压控制
B.均为电流控制
C.双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制
D.双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
