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第3题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少
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第4题
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。
A.0.1V/0.5V
B.0.2V/0.5V
C.0.5V/0.7V
D.0.5V/1.0V
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第5题
常温下二极管的门限电压或阀电压，硅管一般为（)左右，锗管为（)左右。
A.0.5.0.1
B.0.1，0.5
C.0.2，0.7
D.0.7，0.2
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第6题
单向硅电压开关二极管与一般二极管特性相同。（)
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第7题
当二极管所加电压很低时，正向（)非常小，属于弱导通状态，通常称这个区域为死区。
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第8题
二极管正向电压大于死区电压后，正向（)开始明显增加，并且随着正向电压加大，二极管呈现充分导通状态。
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第9题
电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是（） 。
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第10题
设常温下某二极管的反向饱和电流IS=30X10-12A，试计算正向电压为0.2V、0.4V、0.6和0.8V时的电流，并确定此二极管是硅管还是锗管。
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第11题
钳位电路如图题3.4.11所示，已知D为硅二极管，vn=4sinwtV。试用恒压降模型分析电路，绘出输出
电压v
0的稳态波形。
如果结果不匹配，请 
