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第3题
一质量为m=1.2kg，长为l=1.0米的均匀细棒，支点在棒的上端点。开始时棒自由悬挂处于静止状态。当F=100牛顿的水平力垂直打击棒的中点位置，且打击时间为t=0.02秒，则打击后棒的角速度为（）。
A.5 rad/s
B.2.5 rad/s
C.1.5 rad/s
D.3 rad/s
第5题
电荷为q的谐振子，t＜0和t＞τ时处于自由振动状态，总能量算符为 （1) 能量本征态记为ψn，能级．当0≤t≤τ，外加均
电荷为q的谐振子，t＜0和t＞τ时处于自由振动状态，总能量算符为
能量本征态记为ψn，能级
，总能量算符变成
(2)
H的本征态记为φn，本征值为En．
设t≤0时该谐振子处于基态ψ0，求t＞τ时的波函数ψ(x，t)，以及ψ(x，t)中各能量本征态ψn的成分．
第10题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是（)。
A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
第11题
在一块半导体基板上陈列了10万金属颗粒,每一颗粒充当电容器的一极,外表面绝缘,手指贴在其上构成电容器的另一极,这就组成了指纹传感器.当手指的指纹一面与绝缘表面接触时,由于指纹深浅不同,对应的峪和嵴与颗粒间形成一个个电容值大小不同的电容器,则（）
A.指纹的嵴处与半导体基板上对应的金属颗粒距离近,电容小
B.指纹的峪处与半导体基板上对应的金属颗粒距离远,电容小
C.对每个电容感应颗粒都充电至某一参考电压,在手指靠近时,各金属电极电荷量减小
D.对每个电容感应颗粒都充电至某一参考电压,在手指远离时,各金属电极均处于充电状态
