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[单选题]
pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括()。
A.体电阻上压降
B.势垒区的产生与复合
C.大注入条件
D.pn结反向击穿
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A.体电阻上压降
B.势垒区的产生与复合
C.大注入条件
D.pn结反向击穿
A.对于低势垒尖峰形异质结,用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结,采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理
A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术
B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成
C.PN结位于p型半导体和n型半导体的过渡层上
D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的
A.TV电压失相
B.电压互感器更换,二次TV变比增大一倍
C.电流互感器更换,二次TA变比增大一倍
D.电流互感器更换,二次Tv变比减小一倍
A.事前分析可能导致目标偏离的各种影响因素
B.目标出现偏离时采取纠偏措施
C.进行目标的实际值与计划值的比较
D.分析目标的实际值与计划值之间存在偏差的原因
A.明确目标实际值与计划值的内涵
B.合理选择对比对象
C.建立目标实际值与计划值之间的对应关系
D.确立衡量目标偏离的标准
E.客观分析负偏差的原因