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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括()。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

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第1题
对异质结I-V特性的分析,以下说法正确的是?()

A.对于低势垒尖峰形异质结,用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结,采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

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第2题
PN结的单向导电性,是指:理想情况下,PN结加正向电压时,相当于短路导通,PN结加反向电压时,相当于开路截止。()

此题为判断题(对,错)。

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第3题
发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片,在P型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。 对文段理解不正确的是()。

A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术

B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成

C.PN结位于p型半导体和n型半导体的过渡层上

D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的

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第4题
当承受正向电压时,PN结电流是()。

A.多数载流子形成的

B.近似为零

C.少数载流子形成的

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第5题
PN结击穿的两种类型是:雪崩击穿;()

A.雪塌击穿

B.齐纳击穿

C.电压击穿

D.电流击穿

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第6题
如图所示电路,该电路功能是什么?设输入正弦波的有效值为120V,并假设二极管理想。选择合适的R值,使得二极管的峰值电流不超过50mA,并求二极管两端最大的反向电压。

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第7题
某客户变电室因工作停电,恢复运行后,终端显示的功率值和电流值均为实际负荷的一半,其原因可能是()。

A.TV电压失相

B.电压互感器更换,二次TV变比增大一倍

C.电流互感器更换,二次TA变比增大一倍

D.电流互感器更换,二次Tv变比减小一倍

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第8题
下列项目目标控制工作中,属于主支控制的是()。

A.事前分析可能导致目标偏离的各种影响因素

B.目标出现偏离时采取纠偏措施

C.进行目标的实际值与计划值的比较

D.分析目标的实际值与计划值之间存在偏差的原因

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第9题
CMOS反相器的域值电压等于电源电压的(),转折区电压变化率(),接近于理想的开关特性。噪声容限约为电源电压的()。
CMOS反相器的域值电压等于电源电压的(),转折区电压变化率(),接近于理想的开关特性。噪声容限约为电源电压的()。

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第10题
在将目标的实际值与计划值进行比较时,要注意以下问题()。

A.明确目标实际值与计划值的内涵

B.合理选择对比对象

C.建立目标实际值与计划值之间的对应关系

D.确立衡量目标偏离的标准

E.客观分析负偏差的原因

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第11题
一个实际的电源,既可以用理想电压源串联内阻的形式表示,也可以用理想电流源并联内阻的形式表示,且二者之间可以等效变换。()
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