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[判断题]

场效应晶体管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值越大，场效应晶体管的控制能力越强。（)

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第1题

对于恒定电场规则下的等比例缩小原理，假设VT可以等比例缩小K倍，pn结内建势可以忽略，下述描述错误的是（）。

A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍

B.沟道电阻不变

C.饱和区跨导缩小K倍

D.栅极总电容缩小K倍

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第2题

电路如图P4.4所示,T₁管的低频跨导为gm,T₁和T₂管d-s间的动态电阻分别为和试求解电

电路如图P4.4所示,T₁管的低频跨导为gm,T₁和T₂管d-s间的动态电阻分别为和试求解电压放大倍数的表达式.

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第3题

当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时，流过漏极的电流为零。（)

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第4题

IGBT导通时撤去栅极电压，IGBT由导通变截至。（)

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第5题

功率场效应晶体管的输出特性表示在栅源电压VCS为一定值时，（)之间的关系。

A.漏极电流与漏极电压

B.源极电流与漏极电压

C.漏极电流与漏源极电压

D.源极电流与漏源极电压

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第6题

下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流（）。

A.减少栅极氧化层厚度

B.减少硅表面缺陷密度

C.减少漏极电压

D.减少漏极掺杂浓度

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第7题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第8题

在一个共源放大电路中，已知栅极和漏极间的中频电压增益A_u=-g_mR'_L=-27，MOS管的

C_gm=0.3 pF，C_gd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率f_H＞10MHz，试求信号源内阻R_si的取值范围。设该电路的输入电阻很大，其影响可以忽略。

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第9题

已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压U_CS(off)=-2.5V，饱和漏极电流I_DSS=0.50mA，试求U_CS=-1V时的漏极电流I_D和跨导gm。

已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压U_CS（off)=-2.5V，饱和漏极电流I_DSS=0.50mA，试求U_CS=-1V时的漏极电流I_D和跨导gm。

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第10题

三极管的三个极是（)。

A.同相输入极，反相输入极，输出极

B.发射极，基极，集电极

C.阳极，阴极，控制极

D.栅极，漏极，源极

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第11题

IGBT的静态和动态特性都与()密切相关。栅极的正偏压+UGE、()和栅极电阻Ron的大小，对IGBT的通态电

IGBT的静态和动态特性都与（)密切相关。栅极的正偏压+UGE、（)和栅极电阻Ron的大小，对IGBT的通态电

压、()、开关损耗、()以及duCE/dt等参数都有不同程度的影响。

此题为判断题(对，错)。

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