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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第1题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第2题
当衬源零偏时,某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地,源接0.5V,则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是()。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第3题
当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时,流过漏极的电流为零。()
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第4题
在电学性质上,MOS管的源和漏是可以相互交换的,双极型晶体管的发射极和集电极是可以相互交换的。()
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第5题
已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压UCS(off)=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.50mA,试求UCS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。
已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压UCS(off)=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.50mA,试求UCS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。

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第6题
排水型、防水型隧道环向盲管通过泄水管与侧沟相连,泄水管直径不应小于()cm。

A.12

B.10

C.8

D.6

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第7题
管沟热力管道在车行道下最小覆土厚度为()。
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第8题
某管沟直埋工程,设计图示管道中心线长250m,水平最大宽度1.00m,管底外表面标高为-1.25m,地面平均标高为0.25m,埋管土壤为Ⅱ类土。根据《建设工程工程量清单计价规范》的有关规定,该管沟土方工程量为()。

A.312.5m3

B.312.5m

C.250m3

D.250m

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第9题
MOS管是一个几端器件()?

A.3端

B.4端

C.5端

D.2端

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第10题
栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第11题
已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgd=0.04pF,Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V,试求其单位增益带宽fT
已知某N沟道MOS管的Kn=0.25mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgd=0.04pF,Cgn=0.2pF。设其偏置电压VGSQ=3V,试求其单位增益带宽fT

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