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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。

A.大于，正偏

B.小于，反偏

C.等于，零偏压

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第1题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第2题

共源放大电路中的场效应管应工作在（)

A.可变电阻区

B.恒流区

C.夹断区

D.击穿区

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第3题

场效应晶体管根据它的导电沟道可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管二种。（)

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第4题

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第5题

结型场效应管可分为（)。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第6题

结型场效应管是耗尽型场效应管，有______和______2种沟道。

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第7题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是（)。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第8题

对于恒定电场规则下的等比例缩小原理，假设VT可以等比例缩小K倍，pn结内建势可以忽略，下述描述错误的是（）。

A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍

B.沟道电阻不变

C.饱和区跨导缩小K倍

D.栅极总电容缩小K倍

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第9题

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计该电路.

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第10题

p沟道MOSFET，其衬底为()型，当栅极施加适当负压后，可形成()导电沟道。

p沟道MOSFET，其衬底为（)型，当栅极施加适当负压后，可形成（)导电沟道。

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