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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

以下哪一种不属于量子点的外延生长方法________？

A.离子束刻蚀法

B.MOCVD

C.化学气相沉积法

D.MBE

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第1题

外延生长过程中影响量子点形貌最重要的两个因素是（)。

A.衬底温度

B.材料组分和总量

C.生长速率

D.暴露时间

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第2题

常用的点源污染预测模型方法包括（)

A.指数外延预测模型

B.皮尔生长曲线预测模型

C.龚柏兹预测模型

D.经验公式法

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第3题

以下晶体生长方法不是熔体生长单晶方法的是（)。

A.水热法

B.区域熔炼法

C.液相外延法

D.拉提法

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第4题

单晶硅按晶体生长方法的不同，分为（）、（）和（）。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄

膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成电路领域。

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第5题

以下哪一种不属于国内生产总值的核算方法？（)

A.支出法

B.生产法

C.投入产出法

D.收入法

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第6题

以下哪一种不属于积累文献的主要方法？（)

A.抄录式

B.标记式

C.例举式

D.札记式

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第7题

以下哪种现象不是基于量子点的表面效应________？

A.量子点表面悬挂键的形成

B.金量子点的准固体现象

C.铂量子点的催化作用

D.铝量子点遇空气爆燃

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第8题

以下不属于量子计算模型的是（)

A.基于量子图灵机的量子计算

B.分布式量子计算

C.拓扑量子计算

D.量子隐形传态

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第9题

以下哪一种不属于绘制圆得方法（)

A.通过选取圆心与圆上一点来创建圆

B.通过拾取三个点来创建圆

C.创建同心弧

D.创建与三个图元相切得圆

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第10题

‍以下哪项不是碳量子点的优点？（)‌

A.具有低分子量和小尺寸的特点

B.发射波长不可调

C.生物兼容性好

D.具有良好的荧光性能

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