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放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻Rs1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：Re=3.3千欧，Re=1.3千欧，Rb1=33千欧，Rb2=10千欧，RL=5.1千欧，Cb1=Cb2=10μF，Ce=50μF，VCC=12V。试求：集电结电容Cb在1~10pF之间变化时，上限频率fH的变化范围。
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c电路中的vi1=0.6V,vi2=0.8V，求各放大电路的输出电压v0和a,b图中各支路的电流。
二极管电路如图题3.4.8a所示，设输入电压v1(t)波形如图b所示，在0~5ms的时间间隔内，试绘出vo(t)的波形，设二极管是理想的。
MOS管的|VT|=0.8V，λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2，(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2，(W/L)T2·T3=30，VDD=5V。试用SPICE分析：(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时，确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1)，并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。
绘出vo(t)的波形。使用恒压降模型(VD=0.7 V)，设二极管是理想的。
共漏放大电路如图LP4-32所示.(1)画出交流等效电路;(2)推导
表示式.设rds和RL的作用忽略不计.
在如图题2-10所示电路中，β=100，其他参数如图所示。
(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ。
(2)画出中频微变等效电路。
(3)求电压放大倍数
。
(4)求输入电阻ri和输出电阻ro。
电路如图P4.6所示,具有理想的对称性.设各管β均相同.
(1)说明电路中各晶体管的作用;(2)若输入差模电压为(u11-u12)产生的差模电流为ΔiD,则电路的电流放大倍数
？
和输出电阻R0。
