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[单选题]
衬源短接的增强型NMOSFET，VDS＞0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？（）
A.源区
B.沟道区靠近源区一侧
C.沟道区靠近漏区一侧
D.漏区
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A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
