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第1题
霍尔电势的不等位电势产生的主要原因不包括（)。
A.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
B.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
C.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
D.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触
第2题
霍尔电势不等位电势产生的主要原因不包括（)。
A.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触
B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
第7题
下列描述中哪一条不正确（)。
A.金属材料电子浓度很高，RH很大，UH很小
B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件
C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)
D.厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
