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[多选题]

晶体管分为三层分别为()。

A.发射区

B.放区

C.集电区

D.基区

E.扩张区

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第1题
晶体管分为三层分别为()

A.发射区

B.放大区

C.集电区

D.基区

E.扩张区

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第2题
晶体管是由三层半导体材料组成的。有三个区域,中间的一层为()。

A.基区

B.栅区

C.集电区

D.发射区

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第3题
NPN型和PNP型晶体管都含有掺杂区()

A.发射区

B.基区

C.集电区

D.放大区

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第4题
为了避免陷落效应,晶体管的发射区多采用()扩散来代替磷扩散。

A.铟

B.硼

C.镓

D.砷

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第5题
采用硅锭形成发射区接触可以大大改善晶体管的电流增益和缩小器件的纵向尺寸。()
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第6题
三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域,中间的一层为()。

A.发射区

B.集电区

C.基区

D.栅区

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第7题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()
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第8题
下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率()。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第9题
在异质结双极型晶体管中,通常将发射结作成异质结,即用宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区。()
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第10题
对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。()
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第11题
以npn型双极型晶体管为例,以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是()。

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高

C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大

D.考虑发射效率公式,放大系数减小

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