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[主观题]

在图P9.15的多谐振荡电路中,已知集成施密特触发电路74HC14在VDD为4.5V时的正向阈值电压和负

向阈值电压分别为VT1=2.5V,VT=1.6V。若C=2200pF,R=51kΩ,试求输出脉冲的重复频率。

在图P9.15的多谐振荡电路中,已知集成施密特触发电路74HC14在VDD为4.5V时的正向阈值电压

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第1题
图P9.16是用集成施密特触发电路74HC14组成的多谐振荡电路。在VDD等于4.5V时,74HC14的正向和负
向阈值电压分别为VT+=2.5V,VT=1.6V。已知R1=11kΩ,R2=22kΩ,C=0.001μF,试求输出脉冲的振荡频率和占空比。二极管的导通电阻与R1和R2的阻值相比可以忽略不计。

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第2题
在图9.4.1的对称式多谐振荡电路中,已知RF1=RF2=22kΩ,G1-C2-0.005μF,Rp1=R
p2=51kΩ。CM0S反相器的阈值电压VTH等于VDD/2,高电平输出电阻和低电平输出电阻均为150Ω。试计算电路的振荡频率。

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第3题
555集成定时器构成的多谐振荡电路的脉冲频率由()决定。

A.输人信号

B.输出信号

C.电路充放电电阻及电容

D.555集成定时器结构

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第4题
多谐振荡电路有一个稳态与一个暂稳态。()
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第5题
在图NP3-13(a)所示的电容三点式振荡电路中,已知L=0.5pH,C1=51pF,C2=3300pF,C3=12
在图NP3-13(a)所示的电容三点式振荡电路中,已知L=0.5pH,C1=51pF,C2=3300pF,C3=12

~250pF,RL=5kΩ,gm=30mS,Cbc=20pF,β足够大。Q0=80,试求能够起振的频率范围,图中CB、CC对交流呈短路,LE为高频扼流圈。

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第6题
在图NPS3-1(a)所示振荡电路中,已知,变压器耦合系数k=0.9999;电流源电流IEF=4mA。(1)试分析
在图NPS3-1(a)所示振荡电路中,已知,变压器耦合系数k=0.9999;电流源电流IEF=4mA。(1)试分析

在图NPS3-1(a)所示振荡电路中,已知,变压器耦合系数k=0.9999;电流源电流IEF=4mA。(1)试分析电路,观察并记录两晶体管集电极输出电压波形,并由T2管集电极输出波形,计算振荡频率。(2)若将IEF改为2mA,再做(1)的分析和记录,并比较结果。(3)试确定最小工作电流IEE值。

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第7题
在图P8.18所示电路中,已知R1=10kΩ,R2=20kΩ,C=0.01μF,集成运放的最大输出电压幅值为±1
2V,二极管的动态电阻可忽略不计.(1)求出电路的振荡周期;(2)画出uo和uc的波形.

图P8.18

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第8题
在图 LP6-12所示的反对数变换器中,试证:。已知10kΩ,试问:当vS由ImV变到10V时,在室温下相应

在图 LP6-12所示的反对数变换器中,试证:。已知10kΩ,试问:当vS由ImV变到10V时,在室温下相应vO的变化范围是多少?设各集成运放是理想的,各品体管特性相同。

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第9题
在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1
在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1

在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1=10kΩ,R2=15.7kΩ,R3=1kΩ,R5=10kΩ,试问:当υs由1mV变到10V时,在室温下相应υ0的变化范围是多少?

设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同.

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第10题
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ,CO为隔直流电容,CS为旁路电容,RC1、RC2阻值很大,可忽略不计,设λ=0,试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值,并指出该振荡器足否有栅极电流。

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