题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
GaAs的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？（)
A.k=0处;k=0处
B.[111]方向;k=0处
C.k=0处;[111]方向
D.[100]方向;k=0处
E.k=0处;[100]方向
查看答案
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
A.k=0处;k=0处
B.[111]方向;k=0处
C.k=0处;[111]方向
D.[100]方向;k=0处
E.k=0处;[100]方向
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“GaAs的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？（)”相关的问题
A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
C.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
D.导带中的电子服从费米分布函数
E.价带中的空穴服从费米分布函数
F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带
A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度
E.电子浓度和空穴浓度均为0
