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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响,下列说法中正确的是()。

A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大

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第1题
下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅()。

A.减少衬底掺杂浓度

B.减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度

C.减少氧化层厚度

D.降低器件工作温度

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第2题
n沟增强型MOS管在栅压为零时,由于氧化层中正电荷的作用,半导体表面为()状态,开启电压为()。

A.积累,正值

B.耗尽,正值

C.积累,负值

D.耗尽,负值

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第3题
下列关于近端吻合口吻合操作建议说法有误的是()

A.注重主动脉上位置的选择

B.使用侧壁钳会影响对桥血管长度的预判

C.选择合适的角度(水平面)尽量让桥可以走行于心脏和主动脉里面

D.注意心包和肺对于桥血管走行的影响

E.主动脉壁需要注意全层吻合

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第4题
完井液与钻井泥浆的区别是完井液体系对产层的影响必须是能用酸化、氧化或通过完井技术及一些生产作业等补救措施消除的。()
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第5题
在MOSFET的平方律模型中,下列关于沟道电势V(y)说法()正确。

A.仅在体电荷QB的计算中忽略了V(y)

B.仅在氧化层压降Vox的计算中忽略了V(y)

C.在体电荷QB和氧化层压降Vox的计算中均忽略了V(y)

D.在体电荷QB和氧化层压降Vox的计算中均考虑了V(y)

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第6题
关于氧化还原反应的描述,下列说法错误的是()。

A.氧化与还原是同时发生的

B.在氧化还原反应中,失去电子的物质发生了还原反应

C.氧化还原反应中得失电荷数相同

D.氧化剂被还原,发生还原反应

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第7题
介质不同,会影响氧化还原电对的浓度,使得电对电极势值发生改变,从而引起滴定曲线的突跃范围改变。()
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第8题
带负荷更换柱上隔离开关作业中,清除导线氧化层的目的是为了标示绝缘引流线的连接位置。()

带负荷更换柱上隔离开关作业中,清除导线氧化层的目的是为了标示绝缘引流线的连接位置。()

参考答案:错误

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第9题
关于Agile Controller园区网准入控制部署方案,以下描述错误的是?()

A.在接入层交换机/汇聚层交换机或者AC开启802.1X功能,通过VLAN、ACL、UCL(敏捷交换机支持)控制权限

B.认证域分为认证前域,隔离域和认证后域

C.结合用户的身份、使用终端的类型、当前所处的接入位置、接入时间等匹配条件,给不同部门之间设备进行准入策略

D.终端可以提供用户名和密码界面

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第10题
‍当晶体管的W值较小时,受窄沟道效应的影响,晶体管的阈值电压()(“升高”或“降低”)。‎
‍当晶体管的W值较小时,受窄沟道效应的影响,晶体管的阈值电压()(“升高”或“降低”)。‎

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