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[主观题]
在一个共源放大电路中，已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27，MOS管的
Cgm=0.3 pF，Cgd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率fH＞10MHz，试求信号源内阻Rsi的取值范围。设该电路的输入电阻很大，其影响可以忽略。
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在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的
(1)计算
(2)画出交流等效电路.(3)求
求
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
