A.低电阻率
B.易与p或n型硅形成欧姆接触
C.可与硅或二氧化硅反应
D.易于光刻
E.便于进行键合
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)
A.金属铂电阻的电阻率随温度升高而减小
B.电阻率的大小与温度有关,温度越高电阻率越大
C.同一温度下,电阻率跟导体电阻与横截面积的乘积成正比,跟导体的长度成反比
D.同一温度下,电阻率由所用导体材料的本身特性决定