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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

温度升高,N型半导体的电阻率()。

A.将增大

B.将减小

C.不变

D.无法判断

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第1题
一般来说,金属的电阻率随温度的升高而(),硅等纯净半导体和绝缘体的电阻率则随温度的升高而()。
一般来说,金属的电阻率随温度的升高而(),硅等纯净半导体和绝缘体的电阻率则随温度的升高而()。

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第2题
当环境温度升高时,半导体的电阻率会减少,反向电流也会增大。()
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第3题
半导体电阻率的温度系数为(),金属电阻率的温度系数为()。

A.正,正

B.正,负

C.负,正

D.负,负

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第4题
热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随()而变化的性质制成的温度温度敏感元件。

A.压力

B.温度

C.电流

D.电压

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第5题
康铜和锰铜的电阻率随温度升高而增大。()
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第6题
金属导体温度升高时,其电阻值与电阻率也随之增大。()
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第7题
为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满足()。
为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满足()。

A.低电阻率

B.易与p或n型硅形成欧姆接触

C.可与硅或二氧化硅反应

D.易于光刻

E.便于进行键合

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第8题
随着温度的升高,非简并n型半导体电导率的变化过程为?()

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)

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第9题
金属导体的电阻随温度升高而增大,其主要原因是()。

A.电阻率随温度升高而增大

B.导体长度随温度升高而增大

C.导体的截面积随温度升高而增大

D.不确定

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第10题
对电阻率及其公式ρ=RSl的理解,正确的是()

A.金属铂电阻的电阻率随温度升高而减小

B.电阻率的大小与温度有关,温度越高电阻率越大

C.同一温度下,电阻率跟导体电阻与横截面积的乘积成正比,跟导体的长度成反比

D.同一温度下,电阻率由所用导体材料的本身特性决定

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