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第2题
关于本征跃迁，以下说法正确的是？（)
A.本征跃迁是本征吸收的逆过程
B.对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁
C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D.对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁
E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与
F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
第4题
在半导体材料中，其说法正确的是（）。
A.P型半导体和N型半导体材料本身带电
B.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电
C.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电
D.P型半导体中，多数载流子为空穴，它不带电
第6题
下列关于费米能级的说法错误的是（)。
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
第10题
以下哪项不是制备核壳结构的半导体量子点的必要条件？（)
A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大
B.对于壳层采用半导体晶体修饰时，两种半导体材料的晶格常数要相匹配，以减少界面张力
C.一定要缓慢滴加前驱体溶液
D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布
